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Toshiba Semiconductor 东芝

Toshiba

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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丝印：
外壳：
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥0.305100
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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功率 - 最大值：100mW
丝印：
外壳：
封装：USM
料号：JTG2-16139
包装：
参考价格:￥0.305100
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总额：
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参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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晶体管类型：PNP - 预偏压
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丝印：
外壳：
封装：USM
料号：JTG2-16140
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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晶体管类型：PNP - 预偏压
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封装：CST3
料号：JTG2-16196
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：
外壳：
封装：VESM
料号：JTG2-16328
包装：
参考价格:￥0.305100
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:100 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:100 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：PNP - 预偏压
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丝印：
外壳：
封装：SSM
料号：JTG2-16330
包装：
参考价格:￥0.305100
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 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丝印：
外壳：
封装：VESM
料号：JTG2-16344
包装：
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:100nA（ICBO） *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 250µA，5mA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：100mW
丝印：
外壳：
封装：SSM
料号：JTG2-16345
包装：
参考价格:￥0.305100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1114(T5L,F,T)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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